2025下半年 三星將使用中國儲存專利技術生產晶片

快科技2月27日消息，據國外媒體最新消息稱，三星將在今年下半年，開始使用中國儲存專利技術生產相應的晶片。

近期，三星電子已與中國儲存晶片廠商長江儲存簽署了開發堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”技術的專利許可協議。

按照消息人士的說法，三星計劃於2025年下半年量產下一代V10 NAND，將使用長江儲存的專利技術，特別是在“混合鍵合”技術方面。

三星之所以選擇向長江儲存獲取“混合健合”專利授權，主要由於目前長江儲存在“混合鍵合”技術方面處於全球領先地位。並且三星經過評估認為，從下一代V10 NAND開始，其已經無法再避免長江儲存專利的影響。

對於中國儲存行業來說，這確實是振奮人心的消息，畢竟大家從落後一直到趕超，這也從側面反映了中國科技自主創新的成果。